随着大数据时代信息的快速增长，要求人们必需努力开发出具有超高密度信息存储和新型的多功能器件。利用外加电场控制极化的铁电材料为多能级态提供了新的平台。尤其是新出现的二维范德瓦尔斯铁电体由于其洁净的界面和窄的带隙可实现无损的数据读取和持久的数据写入。目前，二维范德瓦尔斯铁电材料中的极序工程化的光电流和多电阻态还尚未报道。
近期，许小红教授团队构建了基于二维范德瓦尔斯层状2Hα-In2Se3铁电材料的面内多态存储器件。通过施加面内电场调控铁电α-In2Se3层的极序，实现了可以相互切换的三种电阻态，其具有快的切换速度、良好的耐久性和保持性。值得注意的是，中间阻态和低阻态之间可以通过比其它基于2D铁电材料的存储器小1-2个数量级的超低电场来实现可逆切换。此外，还发现这三种不同的极序态表现出了特有的光响应。本工作拓展了2Hα-In2Se3在非易失性高密度存储器和新型的光电器件中的应用。
研究成果以“Control of Photocurrent and Multi-State Memory by Polar Order Engineering in 2H-Stackedα-In2Se3Ferroelectric”为题，发表在SCIENCE CHINA Materials期刊上（中科院一区，影响因子：8.273），我院博士生吕宝华为第一作者，薛武红副教授和许小红教授为通讯作者。该工作得到国家自然科学基金和山西师范大学研究生科技创新项目的支持。
全文链接：www.sciengine.com/publisher/scp/journal/SCMs/doi/10.1007/s40843-021-1920-9
